四探針電阻率測試儀 型號:TH02-FT-341  

覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試
硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等，提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.
二．描述：
采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計參考國標(biāo)單晶硅物理測試方法及 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.
四探針電阻率測試儀 型號:TH02-FT-341  

1.方塊電阻 10^-5～2×10^5Ω/□
2.電阻率 10^-6～2×10^6Ω-cm
3.測試電流 0.1μA.μA.0μA，100µA，1mA，10mA，100mA
4.電流精度 ±0.1%
5.電阻精度 ≤0.3%
6.顯示讀數(shù)屏液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率
7.測試方式雙電測量
8.電源輸入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：<30W
9.誤差≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）
10.選購功能選購1.pc軟件； 選購2.方形探頭； 選購3.直線形探頭； 選購4.測試平臺；5.標(biāo)準(zhǔn)電阻.
11.測試探頭探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針
12.標(biāo)準(zhǔn)電阻（選購）規(guī)格：1mΩ、10mΩ、100mΩ、1Ω、10Ω、1kΩ、10kΩ、100kΩ、1MΩ